台积电17日联合台大、麻省理工宣布，在1nm以下芯片方面取得了长足的进步，研究成果已经在Nature上公布。

　　研究发现，使用半金属铋Bi作为二维材料的接触电极，可以大大降低电阻，增加电流，达到接近量子极限的能效，有望挑战1nm以下工艺的芯片。

　　据悉，该发现是麻省理工团队首先发现的，随后台积电将易沉积工艺优化，而台大电机系和光电所教授吴志毅团队则通过氦离子束微影系统将元件通道成功缩小到纳米大小。

　　此前，IBM于5月初推出2nm工艺芯片。与目前主流的7nm芯片相比，IBM2nm芯片的性能有望提高45%，能耗降低75%。

　　但业内人士表示，由于IBM没有先进的逻辑制程芯片晶圆厂，其2nm工艺不能迅速落地，弯道超车更加困难。

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